本研究通过不同能量长脉冲Nd:YAG 1064 nm激光体外照射红色毛癣菌菌落,观察长脉冲1064 nm激光对红色毛癣菌生长曲线的影响。


生长曲线测定


一套培养皿于激光照射前即刻(作为第1天)、照射后放回培养箱继续培养,于第2~9天,用相机拍摄菌落大小(培养盘放置于坐标纸上,方便计数),之后用Photoshop 7.0软件打开菌落图像,分别计数菌落所占的像点数和坐标纸小方格的像点数,二者之比乘以小方格的面积即为菌落生长的面积,未照光组作为对照组,分别计算每株菌的未照光组和不同能量激光照射组的菌落生长面积。此试验重复3次。


结果:


长脉冲Nd:YAG 1064 nm激光照射对T.rubrum Y菌落生长的影响记录红色毛癣菌Y菌落于激光照射前即刻(第1天)及各能量激光照射后第2~9天的菌落面积,将菌落面积统计分析如表1所示,并绘制成生长曲线(图1)。

不同能量激光照射对T.rubrum Y菌落生长的影响


激光照射能量200 J/cm2时生长曲线几乎与对照组生长曲线重合;激光照射能量400 J/cm2时,菌落生长曲线较对照组生长曲线下移,且在第9天时,菌落生长面积又恢复至与对照组相似;激光照射能量600 J/cm2时,照射后即刻,菌落面积减小,第2~9天,菌落生长面积不变,生长曲线呈直线趋势,菌落停止生长。


本研究中,长脉冲Nd:YAG 1064 nm激光体外照射临床分离的T.rubrum Y菌落后,菌落在200 J/cm2处理组,菌落生长曲线与未行激光照射的对照组生长曲线几乎重合,表明200 J/cm2激光能量不足以抑制T.rubrum Y菌落的生长。400 J/cm2处理组,T.rubrum Y菌落生长曲线较对照组生长曲线下移,说明可抑制T.rubrum Y菌落的生长。值得注意的是,激光照射后第2~8天菌落生长曲线下移,但至第9天时,菌落生长曲线上移至与对照组基本相同,这也许说明激光对T.rubrum Y菌落的抑制效应可持续约1周,这种抑制效应停止后,菌落可恢复正常生长。也为临床工作中,病人激光治疗间隔时间为1周提供了依据。


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